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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTK21N100
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTK21N100 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTK21N100
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTK21N100
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
IXT(K,N)21N100.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTK21N100
Specifiche tecniche IXYS - IXTK21N100, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTK21N100

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-264 (IXTK)  
Serie MegaMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTK21  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTK21N100

Proprietà del prodotto IXTK21N100 IXTK250N10 IXTK17N120L IXTK33N50
Modello di prodotti IXTK21N100 IXTK250N10 IXTK17N120L IXTK33N50
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 25 V 12700 pF @ 25 V 8300 pF @ 25 V 4900 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V 100 V 1200 V 500 V
Numero di prodotto di base IXTK21 IXTK250 IXTK17 IXTK33
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc) 250A (Tc) 17A (Tc) 33A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 20V 10V
Serie MegaMOS™ MegaMOS™ Linear -
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 500µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 10V 5mOhm @ 90A, 10V 900mOhm @ 8.5A, 20V 170mOhm @ 500mA, 10V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Box Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc) 730W (Tc) 700W (Tc) 416W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 430 nC @ 10 V 155 nC @ 15 V 250 nC @ 10 V

IXTK21N100 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTK21N100 PDF e la documentazione IXYS per IXTK21N100 - IXYS.

Schede tecniche
IXT(K,N)21N100.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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