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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXKH24N60C5
IXKH24N60C5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXKH24N60C5 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXKH24N60C5
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXKH24N60C5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXK(H,P)24N60C5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5350

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXKH24N60C5
Specifiche tecniche IXYS - IXKH24N60C5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXKH24N60C5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 790µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 165mOhm @ 12A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXKH24  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXKH24N60C5

Proprietà del prodotto IXKH24N60C5 TK5P50D(T6RSS-Q) IRF5305STRRPBF IXKN75N60C
Modello di prodotti IXKH24N60C5 TK5P50D(T6RSS-Q) IRF5305STRRPBF IXKN75N60C
fabbricante IXYS Toshiba Semiconductor and Storage Infineon Technologies IXYS
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Chassis Mount
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 500 V 55 V 600 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc) 5A (Ta) 31A (Tc) 75A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 165mOhm @ 12A, 10V 1.5Ohm @ 2.5A, 10V 60mOhm @ 16A, 10V 36mOhm @ 50A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 100 V 490 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V -
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Serie CoolMOS™ - HEXFET® CoolMOS™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD D-Pak D2PAK SOT-227B
Dissipazione di potenza (max) - 80W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 560W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 500 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IXKH24 TK5P50 IRF5305 IXKN75
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 790µA 4.4V @ 1mA 4V @ 250µA 3.9V @ 5mA

IXKH24N60C5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXKH24N60C5 PDF e la documentazione IXYS per IXKH24N60C5 - IXYS.

Schede tecniche
IXK(H,P)24N60C5.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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