Specifiche
Specifiche tecnologiche IXKR47N60C5
Specifiche tecniche IXYS - IXKR47N60C5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXKR47N60C5
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
IXYS Corporation |
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| Vgs (th) (max) a Id |
3.5V @ 3mA |
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| Vgs (Max) |
±20V |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
ISOPLUS247™ |
|
| Serie |
CoolMOS™ |
|
| Rds On (max) a Id, Vgs |
45mOhm @ 44A, 10V |
|
| Dissipazione di potenza (max) |
- |
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| Contenitore / involucro |
TO-247-3 |
|
| Pacchetto |
Tube |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Through Hole |
|
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
6800 pF @ 100 V |
|
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
190 nC @ 10 V |
|
| Tipo FET |
N-Channel |
|
| Caratteristica FET |
- |
|
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
|
| Tensione drain-source (Vdss) |
600 V |
|
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
47A (Tc) |
|
| Numero di prodotto di base |
IXKR47 |
|
Metodo di spedizione
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
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IXKN75N60CIXYSMOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
IXTP50N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 50A TO220AB
FQPF5N50CFTUonsemiMOSFET N-CH 500V 5A TO220F
BS107GonsemiMOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
FDP13AN06A0onsemiMOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
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SI2309CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3