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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL5602
IRL5602 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL5602 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL5602
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL5602
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 24A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRL5602S.pdf
In magazzino: 4620

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL5602
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL5602, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL5602

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 12A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1460 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL5602

Proprietà del prodotto IRL5602 IRL5602SPBF IRL540NSTRLPBF IRL5602STRL
Modello di prodotti IRL5602 IRL5602SPBF IRL540NSTRLPBF IRL5602STRL
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1460 pF @ 15 V 1460 pF @ 15 V 1800 pF @ 25 V 1460 pF @ 15 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc) 24A (Tc) 36A (Tc) 24A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB D2PAK D2PAK D2PAK
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 12A, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 44mOhm @ 18A, 10V 42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±16V ±8V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4V, 10V 2.5V, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) - 75W (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) 75W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V 74 nC @ 5 V 44 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 100 V 20 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel

IRL5602 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL5602 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL5602 - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
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Schede tecniche
IRL5602S.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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