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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXKH30N60C5
IXKH30N60C5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXKH30N60C5 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXKH30N60C5
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXKH30N60C5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXKH30N60C5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4350

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXKH30N60C5
Specifiche tecniche IXYS - IXKH30N60C5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXKH30N60C5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 1.1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 16A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXKH30  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXKH30N60C5

Proprietà del prodotto IXKH30N60C5 IXKN75N60C IXKR40N60C IXKR25N80C
Modello di prodotti IXKH30N60C5 IXKN75N60C IXKR40N60C IXKR25N80C
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 10 V - - -
Dissipazione di potenza (max) - 560W (Tc) - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 500 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 355 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 75A (Tc) 38A (Tc) 25A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 16A, 10V 36mOhm @ 50A, 10V 70mOhm @ 25A, 10V 150mOhm @ 18A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base IXKH30 IXKN75 IXKR40 IXKR25
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 800 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD SOT-227B ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Contenitore / involucro TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 TO-247-3
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 1.1mA 3.9V @ 5mA 3.9V @ 3mA 4V @ 2mA
Tipo montaggio Through Hole Chassis Mount Through Hole Through Hole

IXKH30N60C5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXKH30N60C5 PDF e la documentazione IXYS per IXKH30N60C5 - IXYS.

Schede tecniche
IXKH30N60C5.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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