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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTB10NK60ZT4
STB10NK60ZT4 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STB10NK60ZT4 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STB10NK60ZT4
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STB10NK60ZT4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
STx10NK60Z.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 18039

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STB10NK60ZT4
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STB10NK60ZT4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STB10NK60ZT4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 750mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)  
Numero di prodotto di base STB10  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STB10NK60ZT4

Proprietà del prodotto STB10NK60ZT4 STB10N95K5 STB11N65M5 STB10NK60Z-1
Modello di prodotti STB10NK60ZT4 STB10N95K5 STB11N65M5 STB10NK60Z-1
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numero di prodotto di base STB10 STB10 STB11 STB10N
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) I2PAK
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 950 V 650 V 600 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V 630 pF @ 100 V 644 pF @ 100 V 1370 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Serie SuperMESH™ SuperMESH5™ MDmesh™ V SuperMESH™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) 8A (Tc) 9A (Tc) 10A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc) 130W (Tc) 85W (Tc) 115W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 750mOhm @ 4.5A, 10V 800mOhm @ 4A, 10V 480mOhm @ 4.5A, 10V 750mOhm @ 4.5A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

STB10NK60ZT4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STB10NK60ZT4 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STB10NK60ZT4 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN Design/Specifica
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
Schede tecniche
STx10NK60Z.pdf

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Europa Germania 5
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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