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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFE44N50QD3
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFE44N50QD3 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFE44N50QD3
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFE44N50QD3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFE(44,48)N50QD2/3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5040

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFE44N50QD3
Specifiche tecniche IXYS - IXFE44N50QD3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFE44N50QD3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Depletion  
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 22A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 39A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFE44  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFE44N50QD3

Proprietà del prodotto IXFE44N50QD3 IXFE39N90 IXFH102N15T IXFE44N50Q
Modello di prodotti IXFE44N50QD3 IXFE39N90 IXFH102N15T IXFE44N50Q
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA 5V @ 8mA 5V @ 1mA 4V @ 4mA
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 22A, 10V 220mOhm @ 19.5A, 10V 18mOhm @ 500mA, 10V 120mOhm @ 22A, 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Numero di prodotto di base IXFE44 IXFE39 IXFH102 IXFE44
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B TO-247AD (IXFH) SOT-227B
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8000 pF @ 25 V 13400 pF @ 25 V 5220 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 39A (Tc) 34A (Tc) 102A (Tc) 39A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 900 V 150 V 500 V
Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc) 580W (Tc) 455W (Tc) 400W (Tc)
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 375 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HiPerFET™, Depletion HiPerFET™ HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Q Class
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IXFE44N50QD3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFE44N50QD3 PDF e la documentazione IXYS per IXFE44N50QD3 - IXYS.

Schede tecniche
IXFE(44,48)N50QD2/3.pdf

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Europa Germania 5
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