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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciGWM160-0055P3
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

GWM160-0055P3 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
GWM160-0055P3
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-GWM160-0055P3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
17-SMD, Flat Leads
Scheda dati
GWM160-0055P3.pdf
In magazzino: 5040

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Specifiche

Specifiche tecnologiche GWM160-0055P3
Specifiche tecniche IXYS - GWM160-0055P3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - GWM160-0055P3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS-DIL™  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3mOhm @ 100A, 10V  
Potenza - Max -  
Contenitore / involucro 17-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 55V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A  
Configurazione 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  
Numero di prodotto di base GWM160  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS GWM160-0055P3

Proprietà del prodotto GWM160-0055P3 DMHC3025LSD-13 NTHD4508NT1G SSD2025TF
Modello di prodotti GWM160-0055P3 DMHC3025LSD-13 NTHD4508NT1G SSD2025TF
fabbricante IXYS Diodes Incorporated onsemi onsemi
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS-DIL™ 8-SO ChipFET™ 8-SOIC
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (max) a Id, Vgs 3mOhm @ 100A, 10V 25mOhm @ 5A, 10V 75mOhm @ 3.1A, 4.5V 100mOhm @ 3.3A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 590pF @ 15V 180pF @ 10V -
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max - 1.5W 1.13W 2W
Numero di prodotto di base GWM160 DMHC3025 NTHD4508 SSD2025
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V 11.7nC @ 10V 4nC @ 4.5V 30nC @ 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A 6A, 4.2A 3A 3.3A
Configurazione 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tensione drain-source (Vdss) 55V 30V 20V 60V
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 17-SMD, Flat Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SMD, Flat Lead 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

GWM160-0055P3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica GWM160-0055P3 PDF e la documentazione IXYS per GWM160-0055P3 - IXYS.

Schede tecniche
GWM160-0055P3.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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