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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDMS3600AS
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMS3600AS - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDMS3600AS
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS3600AS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMS3600AS.pdf
In magazzino: 38059

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS3600AS
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDMS3600AS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDMS3600AS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 2.7V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V  
Potenza - Max 2.2W, 2.5W  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 13V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 25V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A, 30A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Numero di prodotto di base FDMS3600  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDMS3600AS

Proprietà del prodotto FDMS3600AS FDMS3600S FDMS3600AS FDMS3602S
Modello di prodotti FDMS3600AS FDMS3600S FDMS3600AS FDMS3602S
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Rds On (max) a Id, Vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V - 5.6mOhm @ 15A, 10V 5.6mOhm @ 15A, 10V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN - 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tensione drain-source (Vdss) 25V - 25V 25V
Numero di prodotto di base FDMS3600 FDMS3600 FDMS3600 FDMS3602
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Potenza - Max 2.2W, 2.5W - 2.2W, 2.5W 1W
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V - 27nC @ 10V 27nC @ 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A, 30A - 15A, 30A 15A, 26A
Vgs (th) (max) a Id 2.7V @ 250µA - 2.7V @ 250µA 3V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 13V - 1770pF @ 13V 1680pF @ 13V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® * PowerTrench® PowerTrench®
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) - Power56 Power56

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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