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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciGWM70-01P2
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

GWM70-01P2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
GWM70-01P2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-GWM70-01P2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
17-SMD, Flat Leads
Scheda dati
GWM70-01P2.pdf
In magazzino: 4310

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche GWM70-01P2
Specifiche tecniche IXYS - GWM70-01P2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - GWM70-01P2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS-DIL™  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 35A, 10V  
Potenza - Max -  
Contenitore / involucro 17-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A  
Configurazione 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  
Numero di prodotto di base GWM70  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS GWM70-01P2

Proprietà del prodotto GWM70-01P2 NTHD4401PT3G SI3948DV-T1-GE3 GWM160-0055P3
Modello di prodotti GWM70-01P2 NTHD4401PT3G SI3948DV-T1-GE3 GWM160-0055P3
fabbricante IXYS onsemi Vishay Siliconix IXYS
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 35A, 10V 155mOhm @ 2.1A, 4.5V 105mOhm @ 2.5A, 10V 3mOhm @ 100A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V 20V 30V 55V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 4V @ 1mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A 2.1A - 160A
Numero di prodotto di base GWM70 NTHD44 SI3948 GWM160
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Configurazione 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Contenitore / involucro 17-SMD, Flat Leads 8-SMD, Flat Lead SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 17-SMD, Flat Leads
Serie - - TrenchFET® -
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS-DIL™ ChipFET™ 6-TSOP ISOPLUS-DIL™
Potenza - Max - 1.1W 1.15W -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V 6nC @ 4.5V 3.2nC @ 5V 90nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 300pF @ 10V - -

GWM70-01P2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica GWM70-01P2 PDF e la documentazione IXYS per GWM70-01P2 - IXYS.

Schede tecniche
GWM70-01P2.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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