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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMHC3025LSD-13
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMHC3025LSD-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMHC3025LSD-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMHC3025LSD-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
DMHC3025LSD.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 84320

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMHC3025LSD-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMHC3025LSD-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMHC3025LSD-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V  
Potenza - Max 1.5W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.7nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A, 4.2A  
Configurazione 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base DMHC3025  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMHC3025LSD-13

Proprietà del prodotto DMHC3025LSD-13 SQJ951EP-T1_GE3 FDG6320C STC5NF30V
Modello di prodotti DMHC3025LSD-13 SQJ951EP-T1_GE3 FDG6320C STC5NF30V
fabbricante Diodes Incorporated Vishay Siliconix onsemi STMicroelectronics
Serie - Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® - STripFET™ II
Configurazione 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO PowerPAK® SO-8 Dual SC-88 (SC-70-6) 8-TSSOP
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V 17mOhm @ 7.5A, 10V 4Ohm @ 220mA, 4.5V 31mOhm @ 2.5A, 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 15V 1680pF @ 10V 9.5pF @ 10V 460pF @ 15V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) PowerPAK® SO-8 Dual 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 25V 30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 600mV @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A, 4.2A 30A 220mA, 140mA 5A
Numero di prodotto di base DMHC3025 SQJ951 FDG6320 STC5NF
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 1.5W 56W 300mW 1.5W
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.7nC @ 10V 50nC @ 10V 0.4nC @ 4.5V 11.5nC @ 4.5V

DMHC3025LSD-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMHC3025LSD-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMHC3025LSD-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
PCN Design/Specifica
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013.pdf
Schede tecniche
DMHC3025LSD.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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