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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMC1029UFDB-7
DMC1029UFDB-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMC1029UFDB-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMC1029UFDB-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMC1029UFDB-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-UDFN Exposed Pad
Scheda dati
DMC1029UFDB.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 87880

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMC1029UFDB-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMC1029UFDB-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMC1029UFDB-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V  
Potenza - Max 1.4W  
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 914pF @ 6V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19.6nC @ 8V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 12V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A, 3.8A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base DMC1029  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMC1029UFDB-7

Proprietà del prodotto DMC1029UFDB-7 DMC1229UFDB-13 DMC2004VK-7 DMC1017UPD-13
Modello di prodotti DMC1029UFDB-7 DMC1229UFDB-13 DMC2004VK-7 DMC1017UPD-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Potenza - Max 1.4W 1.4W 450mW 2.3W
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base DMC1029 DMC1229 DMC2004 DMC1017
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V 29mOhm @ 5A, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32mOhm @ 8.9A, 4.5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A, 3.8A 5.6A, 3.8A 670mA, 530mA 13A (Ta), 9.4A (Ta)
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel Complementary
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B) U-DFN2020-6 (Type B) SOT-563 PowerDI5060-8
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19.6nC @ 8V 19.6nC @ 8V - 18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad SOT-563, SOT-666 8-PowerTDFN
Tensione drain-source (Vdss) 12V 12V 20V 12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 914pF @ 6V 914pF @ 6V 150pF @ 16V 1787pF @ 6V, 2100pF @ 6V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

DMC1029UFDB-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMC1029UFDB-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMC1029UFDB-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018.pdf
Schede tecniche
DMC1029UFDB.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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