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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLL2705TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLL2705TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLL2705TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLL2705TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
IRLL2705TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 54030

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLL2705TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLL2705TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLL2705TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 3.8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta)  
Numero di prodotto di base IRLL2705  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLL2705TRPBF

Proprietà del prodotto IRLL2705TRPBF IRLL2705PBF IRLL2705TR IRLL2703PBF
Modello di prodotti IRLL2705TRPBF IRLL2705PBF IRLL2705TR IRLL2703PBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta) 3.8A (Ta) 3.8A (Ta) 3.9A (Ta)
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 30 V
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 3.8A, 10V 40mOhm @ 3.8A, 10V 40mOhm @ 3.8A, 10V 45mOhm @ 3.9A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V - 4V, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT) Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 14 nC @ 5 V
Numero di prodotto di base IRLL2705 - - -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 1W (Ta) - 1W (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V ±16V - ±16V
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRLL2705TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLL2705TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLL2705TRPBF - Infineon Technologies.

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