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IRFI3205PBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFI3205PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFI3205PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFI3205PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
IRFI3205PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 21623

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFI3205PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFI3205PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFI3205PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 34A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFI3205  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFI3205PBF

Proprietà del prodotto IRFI3205PBF IRFHS9301TRPBF IRFI1010NPBF IRFI3306GPBF
Modello di prodotti IRFI3205PBF IRFHS9301TRPBF IRFI1010NPBF IRFI3306GPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 30 V 55 V 60 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc) 6A (Ta), 13A (Tc) 49A (Tc) 71A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak 6-PQFN (2x2) (DFN2020) TO-220AB Full-Pak PG-TO220 Full Pack
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V 580 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 4685 pF @ 50 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 2.4V @ 25µA 4V @ 250µA 4V @ 1.037mA
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 34A, 10V 37mOhm @ 7.8A, 10V 12mOhm @ 26A, 10V 4.2mOhm @ 43A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc) 2.1W (Ta) 58W (Tc) 46W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base IRFI3205 IRFHS9301 - -

IRFI3205PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFI3205PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFI3205PBF - Infineon Technologies.

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