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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRFHS9351TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFHS9351TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFHS9351TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFHS9351TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-VQFN Exposed Pad
Scheda dati
IRFHS9351TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 131200

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFHS9351TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFHS9351TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFHS9351TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 10µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-PQFN (2x2)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 3.1A, 10V  
Potenza - Max 1.4W  
Contenitore / involucro 6-VQFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRFHS9351  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFHS9351TRPBF

Proprietà del prodotto IRFHS9351TRPBF IRFHM9391TRPBF IRFI1310NPBF IRFI3205PBF MOS
Modello di prodotti IRFHS9351TRPBF IRFHM9391TRPBF IRFI1310NPBF IRFI3205PBF MOS
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies IR
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube -
Configurazione 2 P-Channel (Dual) - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Caratteristica FET Logic Level Gate - - -
Contenitore / involucro 6-VQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN TO-220-3 Full Pack -
Contenitore dispositivo fornitore 6-PQFN (2x2) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 TO-220AB Full-Pak -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 10V 16 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A 11A (Ta) 24A (Tc) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V 1543 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30 V 100 V -
Numero di prodotto di base IRFHS9351 - IRFI1310 -
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 10µA 2.4V @ 25µA 4V @ 250µA -
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 3.1A, 10V 14.6mOhm @ 11A, 10V 36mOhm @ 13A, 10V -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Potenza - Max 1.4W - - -

IRFHS9351TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFHS9351TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFHS9351TRPBF - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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