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IRFI1010NPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFI1010NPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFI1010NPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFI1010NPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
IRFI1010NPbF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3640

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFI1010NPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFI1010NPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFI1010NPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 26A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 58W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 49A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFI1010NPBF

Proprietà del prodotto IRFI1010NPBF IRFHS8342TR2PBF IRFI1310N IRFHS8242TRPBF
Modello di prodotti IRFI1010NPBF IRFHS8342TR2PBF IRFI1310N IRFHS8242TRPBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tube Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 653 pF @ 10 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 30 V 100 V 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 10.4 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 49A (Tc) 8.8A (Ta), 19A (Tc) 24A (Tc) 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 2.35V @ 25µA 4V @ 250µA 2.35V @ 25µA
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 26A, 10V 16mOhm @ 8.5A, 10V 36mOhm @ 13A, 10V 13mOhm @ 8.5A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 58W (Tc) - 56W (Tc) 2.1W (Ta)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak PG-TSDSON-6 PG-TO220-FP 6-PQFN (2x2) (DFN2020)

IRFI1010NPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFI1010NPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFI1010NPBF - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
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