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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRFI4019HG-117P
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFI4019HG-117P - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFI4019HG-117P
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFI4019HG-117P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Scheda dati
IRFI4019HG-117P.pdf
In magazzino: 5200

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFI4019HG-117P
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFI4019HG-117P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFI4019HG-117P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4.9V @ 50µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-5 Full-Pak  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 95mOhm @ 5.2A, 10V  
Potenza - Max 18W  
Contenitore / involucro TO-220-5 Full Pack, Formed Leads  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 810pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 150V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.7A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRFI4019  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFI4019HG-117P

Proprietà del prodotto IRFI4019HG-117P IRFI4024H-117P IRFI4212H-117P IRFI4212H-117PXKMA1
Modello di prodotti IRFI4019HG-117P IRFI4024H-117P IRFI4212H-117P IRFI4212H-117PXKMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 810pF @ 25V 320pF @ 50V 490pF @ 50V 490pF @ 50V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4.9V @ 50µA 4V @ 25µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Serie - - - -
Numero di prodotto di base IRFI4019 IRFI4024 IRFI4212 IRFI4212
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Potenza - Max 18W 14W 18W 18W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 13nC @ 10V 18nC @ 10V 18nC @ 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-5 Full-Pak TO-220-5 Full-Pak TO-220-5 Full-Pak TO-220-5 Full-Pak
Tensione drain-source (Vdss) 150V 55V 100V 100V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-220-5 Full Pack, Formed Leads TO-220-5 Full Pack TO-220-5 Full Pack TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Rds On (max) a Id, Vgs 95mOhm @ 5.2A, 10V 60mOhm @ 7.7A, 10V 72.5mOhm @ 6.6A, 10V 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.7A 11A 11A 11A (Tc)

IRFI4019HG-117P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFI4019HG-117P PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFI4019HG-117P - Infineon Technologies.

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