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IRFI1310NPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFI1310NPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFI1310NPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFI1310NPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
IRFI1310NPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 34301

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFI1310NPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFI1310NPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFI1310NPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 36mOhm @ 13A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 56W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFI1310  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFI1310NPBF

Proprietà del prodotto IRFI1310NPBF IRFI3306GPBF IRFHS8342TRPBF IRFI3205PBF
Modello di prodotti IRFI1310NPBF IRFI3306GPBF IRFHS8342TRPBF IRFI3205PBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 4685 pF @ 50 V 600 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base IRFI1310 - IRFHS8342 IRFI3205
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak PG-TO220 Full Pack PG-TSDSON-6 TO-220AB Full-Pak
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN TO-220-3 Full Pack
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc) 71A (Tc) 8.8A (Ta), 19A (Tc) 64A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 56W (Tc) 46W (Tc) 2.1W (Ta) 63W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 1.037mA 2.35V @ 25µA 4V @ 250µA
Pacchetto Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 30 V 55 V
Rds On (max) a Id, Vgs 36mOhm @ 13A, 10V 4.2mOhm @ 43A, 10V 16mOhm @ 8.5A, 10V 8mOhm @ 34A, 10V

IRFI1310NPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFI1310NPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFI1310NPBF - Infineon Technologies.

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