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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF6665
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF6665 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF6665
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF6665
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric SH
Scheda dati
IRF6665.pdf
In magazzino: 4320

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF6665
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF6665, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF6665

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ SH  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric SH  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF6665

Proprietà del prodotto IRF6665 IRF6665TR1 IRF6668TRPBF IRF6668TR1PBF
Modello di prodotti IRF6665 IRF6665TR1 IRF6668TRPBF IRF6668TR1PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MZ
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 1320 pF @ 25 V 1320 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 80 V 80 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V 62mOhm @ 5A, 10V 15mOhm @ 12A, 10V 15mOhm @ 12A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc) 4.2A (Ta), 19A (Tc) 55A (Tc) 55A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ MZ

IRF6665 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF6665 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF6665 - Infineon Technologies.

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PCN Obsolescence/ EOL
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Schede tecniche
IRF6665.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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