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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF6668TR1PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF6668TR1PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF6668TR1PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF6668TR1PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Pacchetto
DirectFET™ Isometric MZ
Scheda dati
IRF6668TR1PBF.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4470

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF6668TR1PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF6668TR1PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF6668TR1PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ MZ  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MZ  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 55A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF6668TR1PBF

Proprietà del prodotto IRF6668TR1PBF IRF6678TR1PBF IRF6668TRPBF IRF6678TR1
Modello di prodotti IRF6668TR1PBF IRF6678TR1PBF IRF6668TRPBF IRF6678TR1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 30 V 80 V 30 V
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 15mOhm @ 12A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (max) a Id 4.9V @ 100µA 2.25V @ 250µA 4.9V @ 100µA 2.25V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MX
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ MX
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 25 V 5640 pF @ 15 V 1320 pF @ 25 V 5640 pF @ 15 V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 65 nC @ 4.5 V 31 nC @ 10 V 65 nC @ 4.5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 55A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc) 55A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc)

IRF6668TR1PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF6668TR1PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF6668TR1PBF - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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