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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF6665TR1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF6665TR1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF6665TR1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF6665TR1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Pacchetto
DirectFET™ Isometric SH
Scheda dati
IRF6665.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4510

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF6665TR1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF6665TR1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF6665TR1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ SH  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric SH  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 Hours)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF6665TR1

Proprietà del prodotto IRF6665TR1 IRF6665 IRF6678TR1PBF IRF6678
Modello di prodotti IRF6665TR1 IRF6665 IRF6678TR1PBF IRF6678
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 65 nC @ 4.5 V 65 nC @ 4.5 V
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 30 V 30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc) 4.2A (Ta), 19A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V 62mOhm @ 5A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 5640 pF @ 15 V 5640 pF @ 15 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

IRF6665TR1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF6665TR1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF6665TR1 - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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