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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF6648TR1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF6648TR1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF6648TR1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF6648TR1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric MN
Scheda dati
IRF6648TR1.pdf
In magazzino: 4580

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF6648TR1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF6648TR1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF6648TR1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4.9V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ MN  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 17A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2120 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 86A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF6648TR1

Proprietà del prodotto IRF6648TR1 IRF6648TRPBF IRF6646TRPBF IRF6665
Modello di prodotti IRF6648TR1 IRF6648TRPBF IRF6646TRPBF IRF6665
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 80 V 100 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 86A (Tc) 86A (Tc) 12A (Ta), 68A (Tc) 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 17A, 10V 7mOhm @ 17A, 10V 9.5mOhm @ 12A, 10V 62mOhm @ 5A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric SH
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Vgs (th) (max) a Id 4.9V @ 150µA 4.9V @ 150µA 4.9V @ 150µA 5V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ SH
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2120 pF @ 25 V 2120 pF @ 25 V 2060 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V

IRF6648TR1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF6648TR1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF6648TR1 - Infineon Technologies.

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IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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