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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF6655TR1PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF6655TR1PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF6655TR1PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF6655TR1PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Pacchetto
DirectFET™ Isometric SH
Scheda dati
IRF6655(TR)PbF.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4450

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF6655TR1PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF6655TR1PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF6655TR1PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4.8V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ SH  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric SH  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.7 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF6655TR1PBF

Proprietà del prodotto IRF6655TR1PBF IRF6665TRPBF IRF6648TRPBF IRF6648TR1
Modello di prodotti IRF6655TR1PBF IRF6665TRPBF IRF6648TRPBF IRF6648TR1
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V 62mOhm @ 5A, 10V 7mOhm @ 17A, 10V 7mOhm @ 17A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 2120 pF @ 25 V 2120 pF @ 25 V
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric MN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc) 4.2A (Ta), 19A (Tc) 86A (Tc) 86A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ MN
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 60 V 60 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.7 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 4.8V @ 25µA 5V @ 250µA 4.9V @ 150µA 4.9V @ 150µA
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)

IRF6655TR1PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF6655TR1PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF6655TR1PBF - Infineon Technologies.

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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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