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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRFB3207
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AUIRFB3207 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRFB3207
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRFB3207
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
AUIRFB3207.pdf
In magazzino: 3880

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRFB3207
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRFB3207, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRFB3207

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRFB3207

Proprietà del prodotto AUIRFB3207 AUIRF8739L2TR AUIRFB8409 AUIRFB8405
Modello di prodotti AUIRFB3207 AUIRF8739L2TR AUIRFB8409 AUIRFB8405
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V 40V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V 0.6mOhm @ 195A, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 2.5mOhm @ 100A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-220-3 DirectFET™ Isometric L8 TO-220-3 TO-220-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB DirectFET™ Isometric L8 TO-220AB TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 57A (Ta), 545A (Tc) 195A (Tc) 120A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 40 V 40 V 40 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 3.8W (Ta), 340W (Tc) 375W (Tc) 163W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 3.9V @ 250µA 3.9V @ 250µA 3.9V @ 100µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 50 V 17890 pF @ 25 V 14240 pF @ 25 V 5193 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 562 nC @ 10 V 450 nC @ 10 V 161 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube

AUIRFB3207 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRFB3207 PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRFB3207 - Infineon Technologies.

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Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
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Mult Device EOL 31/Aug/2017.pdf
Schede tecniche
AUIRFB3207.pdf
Assemblaggio/origine PCN
AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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