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AUIRF7379Q - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRF7379Q
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRF7379Q
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
AUIRF7379Q.pdf
In magazzino: 5080

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRF7379Q
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRF7379Q, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRF7379Q

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V  
Potenza - Max 2.5W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.8A, 4.3A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base AUIRF7379  

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Proprietà del prodotto AUIRF7379Q AUIRF7341QTR AUIRF7342QTR AUIRF7379QTR
Modello di prodotti AUIRF7379Q AUIRF7341QTR AUIRF7342QTR AUIRF7379QTR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Configurazione N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Potenza - Max 2.5W 2.4W 2W 2.5W
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 30V 55V 55V 30V
Serie HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.8A, 4.3A 5.1A 3.4A 5.8A, 4.3A
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base AUIRF7379 AUIRF7341 AUIRF7342 AUIRF7379
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V 780pF @ 25V 690pF @ 25V 520pF @ 25V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 44nC @ 10V 38nC @ 10V 25nC @ 10V

AUIRF7379Q Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRF7379Q PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRF7379Q - Infineon Technologies.

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