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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAOP609
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOP609 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOP609
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOP609
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 60V 8DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Scheda dati
AOP609.pdf
In magazzino: 4980

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOP609
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOP609, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOP609

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 4.7A, 10V  
Potenza - Max 2.5W  
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300", 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 30V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base AOP60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOP609

Proprietà del prodotto AOP609 2N7002DWA-7 FDMA3027PZ NTJD5121NT1G
Modello di prodotti AOP609 2N7002DWA-7 FDMA3027PZ NTJD5121NT1G
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Diodes Incorporated onsemi onsemi
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 180mA 3.3A 295mA
Numero di prodotto di base AOP60 2N7002 FDMA3027 NTJD5121
Serie - - PowerTrench® -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V 0.87nC @ 10V 10nC @ 10V 0.9nC @ 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 4.7A, 10V 6Ohm @ 115mA, 10V 87mOhm @ 3.3A, 10V 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP SOT-363 6-MicroFET (2x2) SC-88/SC70-6/SOT-363
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 30V 60V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Potenza - Max 2.5W 300mW 700mW 250mW
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300", 7.62mm) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-VDFN Exposed Pad 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 30V 22pF @ 25V 435pF @ 15V 26pF @ 20V

AOP609 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOP609 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOP609 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf

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