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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matrici2N7002DWA-7
2N7002DWA-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

2N7002DWA-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
2N7002DWA-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-2N7002DWA-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
2N7002DWA.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4500

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N7002DWA-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - 2N7002DWA-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - 2N7002DWA-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 6Ohm @ 115mA, 10V  
Potenza - Max 300mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.87nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base 2N7002  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated 2N7002DWA-7

Proprietà del prodotto 2N7002DWA-7 2N7002DW-7 2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DW-7-G
Modello di prodotti 2N7002DWA-7 2N7002DW-7 2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DW-7-G
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Infineon Technologies Diodes Incorporated
Rds On (max) a Id, Vgs 6Ohm @ 115mA, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 5V 3Ohm @ 500mA, 10V -
Serie - - OptiMOS™ *
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V 50pF @ 25V 20pF @ 25V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.87nC @ 10V - 0.6nC @ 10V -
Numero di prodotto di base 2N7002 2N7002 2N7002 2N7002
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363 SOT-363 PG-SOT363-PO -
Potenza - Max 300mW 310mW 500mW -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180mA 230mA 300mA -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 60V -

2N7002DWA-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N7002DWA-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per 2N7002DWA-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 24/Nov/2014.pdf
Schede tecniche
2N7002DWA.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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