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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSSM6N7002KFU,LF
SSM6N7002KFU,LF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

SSM6N7002KFU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
SSM6N7002KFU,LF
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-SSM6N7002KFU,LF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
SSM6N7002KFU.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 644400

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SSM6N7002KFU,LF
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N7002KFU,LF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N7002KFU,LF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore US6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 100mA, 10V  
Potenza - Max 285mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SSM6N7002  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002KFU,LF

Proprietà del prodotto SSM6N7002KFU,LF SSM6N7002CFU SSM6P05FU SSM6N7002FU
Modello di prodotti SSM6N7002KFU,LF SSM6N7002CFU SSM6P05FU SSM6N7002FU
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TSOHIBA
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -
Numero di prodotto di base SSM6N7002 - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60V - - -
Potenza - Max 285mW - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA - - -
Serie - - - -
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 100mA, 10V - - -
Contenitore dispositivo fornitore US6 - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Caratteristica FET - - - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - - -

SSM6N7002KFU,LF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SSM6N7002KFU,LF PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per SSM6N7002KFU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage.

Schede tecniche
SSM6N7002KFU.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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