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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDMA3027PZ
FDMA3027PZ Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMA3027PZ - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMA3027PZ
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMA3027PZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-VDFN Exposed Pad
Scheda dati
FDMA3027PZ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5320

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMA3027PZ
Specifiche tecniche onsemi - FDMA3027PZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMA3027PZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 87mOhm @ 3.3A, 10V  
Potenza - Max 700mW  
Contenitore / involucro 6-VDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDMA3027  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMA3027PZ

Proprietà del prodotto FDMA3027PZ FDMA2002NZ FDMA3028N FDMA2002NZ
Modello di prodotti FDMA3027PZ FDMA2002NZ FDMA3028N FDMA2002NZ
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 3nC @ 4.5V 5.2nC @ 5V 3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V 220pF @ 15V 375pF @ 15V 220pF @ 15V
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base FDMA3027 FDMA2002 FDMA3028 FDMA2002
Contenitore dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 700mW 650mW 700mW 650mW
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A 2.9A 3.8A 2.9A
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (max) a Id, Vgs 87mOhm @ 3.3A, 10V 123mOhm @ 2.9A, 4.5V 68mOhm @ 3.8A, 4.5V 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad

FDMA3027PZ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMA3027PZ PDF e la documentazione onsemi per FDMA3027PZ - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Marking Content 19/Nov/2013.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Schede tecniche
FDMA3027PZ.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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