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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAOP610
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOP610 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOP610
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOP610
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V 8DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Scheda dati
AOP610.pdf
In magazzino: 4000

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOP610
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOP610, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOP610

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 7.7A, 10V  
Potenza - Max 2.3W  
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300", 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base AOP61  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOP610

Proprietà del prodotto AOP610 SLA5061 SI7216DN-T1-GE3 HAT2043R-EL-E
Modello di prodotti AOP610 SLA5061 SI7216DN-T1-GE3 HAT2043R-EL-E
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Sanken Electric USA Inc. Vishay Siliconix Renesas Electronics America Inc
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) 150°C
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V - 19nC @ 10V 32nC @ 10V
Potenza - Max 2.3W 5W 20.8W 3W (Ta)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate, 4V Drive
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 15V 460pF @ 10V 670pF @ 20V 1170pF @ 10V
Numero di prodotto di base AOP61 SLA50 SI7216 HAT2043
Configurazione N and P-Channel 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP 12-SIP PowerPAK® 1212-8 Dual 8-SOP
Pacchetto Tube Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300", 7.62mm) 12-SIP Exposed Tab PowerPAK® 1212-8 Dual 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie - - TrenchFET® -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA - 3V @ 250µA 2.5V @ 1mA
Tensione drain-source (Vdss) 30V 60V 40V 30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 10A, 6A 6A 8A (Ta)
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 7.7A, 10V 140mOhm @ 5A, 4V 32mOhm @ 5A, 10V 22mOhm @ 4A, 10V

AOP610 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOP610 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOP610 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Altri documenti correlati
AOS Green Policy.pdf
Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Schede tecniche
AOP610.pdf

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Asia India 4
Giappone 4
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