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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAO5804EL
AO5804EL Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AO5804EL - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AO5804EL
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AO5804EL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH SC89-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
AO5804EL.pdf
In magazzino: 3910

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AO5804EL
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5804EL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5804EL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-89-6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 4.5V  
Potenza - Max 280mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base AO580  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO5804EL

Proprietà del prodotto AO5804EL SI6969DQ-T1-GE3 AO5600EL IRF5852TR
Modello di prodotti AO5804EL SI6969DQ-T1-GE3 AO5600EL IRF5852TR
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vishay Siliconix Alpha & Omega Semiconductor Inc. Infineon Technologies
Potenza - Max 280mW 1.1W 380mW 960mW
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA - 600mA, 500mA 2.7A
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V 40nC @ 4.5V 1nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) SOT-563, SOT-666 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel Complementary 2 N-Channel (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SC-89-6 8-TSSOP SC-89-6 6-TSOP
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 4.5V 34mOhm @ 4.6A, 4.5V 650mOhm @ 500mA, 4.5V 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 10V - 45pF @ 10V 400pF @ 15V
Numero di prodotto di base AO580 SI6969 AO5600 IRF58
Caratteristica FET - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Serie - TrenchFET® - HEXFET®
Tensione drain-source (Vdss) 20V 12V 20V 20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

AO5804EL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AO5804EL PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AO5804EL - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL 27/Oct/2016.pdf Mult Dev LTB Update 12/Mar/2018.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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