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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAO5600EL
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AO5600EL - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AO5600EL
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AO5600EL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6L
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
AO5600EL.pdf
In magazzino: 5010

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AO5600EL
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5600EL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5600EL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-89-6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 650mOhm @ 500mA, 4.5V  
Potenza - Max 380mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 600mA, 500mA  
Configurazione N and P-Channel Complementary  
Numero di prodotto di base AO5600  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO5600EL

Proprietà del prodotto AO5600EL FDMC007N30D NTTFD2D8N03P1E SI4818DY-T1-E3
Modello di prodotti AO5600EL FDMC007N30D NTTFD2D8N03P1E SI4818DY-T1-E3
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. onsemi onsemi Vishay Siliconix
Potenza - Max 380mW 1.9W, 2.5W 1.04W (Ta), 26W (Ta) 1W, 1.25W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - Logic Level Gate
Contenitore dispositivo fornitore SC-89-6 8-Power33 (3x3) 12-WQFN (3.3x3.3) 8-SOIC
Numero di prodotto di base AO5600 FDMC007 NTTFD2 SI4818
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V 34nC @ 10V 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V 12nC @ 5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 600mA, 500mA 46A 16.1A (Ta), 80A (Tc) 5.3A, 7A
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 10V 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V -
Serie - - PowerTrench® LITTLE FOOT®
Configurazione N and P-Channel Complementary 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (max) a Id, Vgs 650mOhm @ 500mA, 4.5V 11.6mOhm @ 10A, 10V 2.5mOhm @ 18A, 10V 22mOhm @ 6.3A, 10V
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 8-PowerWDFN 12-PowerWQFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 400µA 800mV @ 250µA (Min)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 30V 30V

AO5600EL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AO5600EL PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AO5600EL - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Informazioni ambientali
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