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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAO5804E
AO5804E Image
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AO5804E - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AO5804E
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AO5804E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SC89-6L
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
AO5804E.pdf
In magazzino: 3910

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AO5804E
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5804E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5804E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-89-6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 4.5V  
Potenza - Max 280mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base AO580  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO5804E

Proprietà del prodotto AO5804E AO5803E AO5800E SI5905DC-T1-E3
Modello di prodotti AO5804E AO5803E AO5800E SI5905DC-T1-E3
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vishay Siliconix
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 10V 100pF @ 10V 50pF @ 30V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA - - 3A
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 900mV @ 250µA 2.5V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min)
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 60V 8V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V - - 9nC @ 4.5V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Numero di prodotto di base AO580 AO580 AO580 SI5905
Contenitore dispositivo fornitore SC-89-6 SC-89-6 SC-89-6 1206-8 ChipFET™
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 4.5V 800mOhm @ 600mA, 4.5V 1.6Ohm @ 400mA, 10V 90mOhm @ 3A, 4.5V
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 280mW 400mW 400mW 1.1W
Serie - - - TrenchFET®

AO5804E Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AO5804E PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AO5804E - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Informazioni ambientali
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EOL 27/Oct/2016.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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