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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMC62D0SVQ-7
DMC62D0SVQ-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMC62D0SVQ-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMC62D0SVQ-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMC62D0SVQ-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
DMC62D0SVQ-7.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4400

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMC62D0SVQ-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMC62D0SVQ-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMC62D0SVQ-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V  
Potenza - Max 510mW (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V, 26pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60V, 50V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 571mA (Ta), 304mA (Ta)  
Configurazione N and P-Channel Complementary  
Numero di prodotto di base DMC62  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMC62D0SVQ-7

Proprietà del prodotto DMC62D0SVQ-7 DMC6040SSDQ-13 DMC6040SSD-13 DMC566050R
Modello di prodotti DMC62D0SVQ-7 DMC6040SSDQ-13 DMC6040SSD-13 DMC566050R
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Panasonic Electronic Components
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 - -
Configurazione N and P-Channel Complementary N and P-Channel Complementary N and P-Channel -
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-SMD, Flat Leads
Numero di prodotto di base DMC62 DMC6040 DMC6040 DMC56605
Rds On (max) a Id, Vgs 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V 40mOhm @ 8A, 10V, 110mOhm @ 4.5A, 10V 40mOhm @ 8A, 10V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V 20.8nC @ 10V, 19.4nC @ 10V 20.8nC @ 10V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V, 26pF @ 25V 1130pF @ 15V, 1030pF @ 30V 1130pF @ 15V -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563 8-SO 8-SO SMini6-F3-B
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 571mA (Ta), 304mA (Ta) 5.1A (Ta) 5.1A, 3.1A -
Caratteristica FET - - Logic Level Gate -
Tensione drain-source (Vdss) 60V, 50V 60V 60V -
Potenza - Max 510mW (Ta) 1.24W 1.24W 150mW

DMC62D0SVQ-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMC62D0SVQ-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMC62D0SVQ-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
DM CAT 20-Mar-2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
DMG/DMN/DMT 02/Mar/2022.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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