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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAO5803E
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

AO5803E - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AO5803E
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AO5803E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
AO5803E.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4430

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Quantità
OPZIONE ESPRIT
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Specifiche

Specifiche tecnologiche AO5803E
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5803E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5803E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-89-6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 600mA, 4.5V  
Potenza - Max 400mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base AO580  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO5803E

Proprietà del prodotto AO5803E SH8KA2GZETB AO7800 AO5600E
Modello di prodotti AO5803E SH8KA2GZETB AO7800 AO5600E
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Rohm Semiconductor Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 600mA, 4.5V 28mOhm @ 8A, 10V 300mOhm @ 900mA, 4.5V 650mOhm @ 500mA, 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore SC-89-6 8-SOP SC-70-6 SC-89-6
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Potenza - Max 400mW 2.8W 300mW 380mW
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-563, SOT-666
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 20V 20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base AO580 SH8KA2 AO780 AO5600
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - 8nC @ 10V 1.9nC @ 4.5V 1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 10V 330pF @ 15V 120pF @ 10V 45pF @ 10V
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA 2.5V @ 1mA 900mV @ 250µA 1V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 8A 900mA 600mA, 500mA

AO5803E Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AO5803E PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AO5803E - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Informazioni ambientali
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EOL 05/May/2016.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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