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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7101PBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7101PBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRF7101PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7101PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
HEXFET POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7101PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3640

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7101PBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRF7101PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRF7101PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF71  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRF7101PBF

Proprietà del prodotto IRF7101PBF IRF7101TRPBF IRF7102 IRF710
Modello di prodotti IRF7101PBF IRF7101TRPBF IRF7102 IRF710
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Fairchild Semiconductor
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A 3.5A 2A 2A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V 300mOhm @ 1.5A, 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V 15nC @ 10V 6.6nC @ 10V 12 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base IRF71 IRF71 IRF71 -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Potenza - Max 2W 2W 2W -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tube
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V 320pF @ 15V 120pF @ 25V 135 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO TO-220AB
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 50V 400 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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