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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDMC007N30D
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMC007N30D - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMC007N30D
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMC007N30D
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 46A 8MLP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerWDFN
Scheda dati
FDMC007N30D.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 65790

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMC007N30D
Specifiche tecniche onsemi - FDMC007N30D, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMC007N30D

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-Power33 (3x3)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 11.6mOhm @ 10A, 10V  
Potenza - Max 1.9W, 2.5W  
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 46A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDMC007  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMC007N30D

Proprietà del prodotto FDMC007N30D FDMC0208 FDMB3900AN FDMB3900N
Modello di prodotti FDMC007N30D FDMC0208 FDMB3900AN FDMB3900N
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Tensione drain-source (Vdss) 30V - 25V -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA - 3V @ 250µA -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V - 17nC @ 10V -
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V - 890pF @ 13V -
Contenitore dispositivo fornitore 8-Power33 (3x3) - 8-MLP, MicroFET (3x1.9) -
Caratteristica FET - - Logic Level Gate -
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN - 8-PowerWDFN -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 46A - 7A -
Serie - * PowerTrench® -
Potenza - Max 1.9W, 2.5W - 800mW -
Rds On (max) a Id, Vgs 11.6mOhm @ 10A, 10V - 23mOhm @ 7A, 10V -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - 2 N-Channel (Dual) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Numero di prodotto di base FDMC007 FDMC02 FDMB3900 FDMB3900
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk

FDMC007N30D Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMC007N30D PDF e la documentazione onsemi per FDMC007N30D - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Schede tecniche
FDMC007N30D.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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