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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNTQD6968NR2G
NTQD6968NR2G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NTQD6968NR2G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTQD6968NR2G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTQD6968NR2G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Pacchetto
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
NTQD6968N.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 5480

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTQD6968NR2G
Specifiche tecniche onsemi - NTQD6968NR2G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTQD6968NR2G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V  
Potenza - Max 1.39W  
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 16V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base NTQD69  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 Hours)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTQD6968NR2G

Proprietà del prodotto NTQD6968NR2G NTQD6866R2 NTLJD3115PT1G NTJD4152PT2G
Modello di prodotti NTQD6968NR2G NTQD6866R2 NTLJD3115PT1G NTJD4152PT2G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Numero di prodotto di base NTQD69 NTQD68 NTLJD3115 NTJD4152
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 6-WDFN Exposed Pad 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V 22nC @ 4.5V 6.2nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 16V 1400pF @ 16V 531pF @ 10V 155pF @ 20V
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V 32mOhm @ 6.9A, 4.5V 100mOhm @ 2A, 4.5V 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP 8-TSSOP 6-WDFN (2x2) SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A 4.7A 2.3A 880mA
Potenza - Max 1.39W 940mW 710mW 272mW
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA

NTQD6968NR2G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTQD6968NR2G PDF e la documentazione onsemi per NTQD6968NR2G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 21/Jan/2010.pdf
Schede tecniche
NTQD6968N.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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