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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI4946CDY-T1-GE3
SI4946CDY-T1-GE3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI4946CDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI4946CDY-T1-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI4946CDY-T1-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SI4946CDY.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 88560

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI4946CDY-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI4946CDY-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI4946CDY-T1-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 40.9mOhm @ 5.2A, 10V  
Potenza - Max 2W (Ta), 2.8W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 30V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Ta), 6.1A (Tc)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI4946  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI4946CDY-T1-GE3

Proprietà del prodotto SI4946CDY-T1-GE3 SI4944DY-T1-E3 SI4946BEY-T1-GE3 SI4947ADY-T1-E3
Modello di prodotti SI4946CDY-T1-GE3 SI4944DY-T1-E3 SI4946BEY-T1-GE3 SI4947ADY-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 21nC @ 4.5V 25nC @ 10V 8nC @ 5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 9.3A 6.5A 3A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Potenza - Max 2W (Ta), 2.8W (Tc) 1.3W 3.7W 1.2W
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 30V - 840pF @ 30V -
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Tensione drain-source (Vdss) 60V 30V 60V 30V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 40.9mOhm @ 5.2A, 10V 9.5mOhm @ 12.2A, 10V 41mOhm @ 5.3A, 10V 80mOhm @ 3.9A, 10V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Numero di prodotto di base SI4946 SI4944 SI4946 SI4947

SI4946CDY-T1-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI4946CDY-T1-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI4946CDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Schede tecniche
SI4946CDY.pdf

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