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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciECH8651R-TL-H
ECH8651R-TL-H Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ECH8651R-TL-H - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
ECH8651R-TL-H
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-ECH8651R-TL-H
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
ECH8651R-TL-H.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4990

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ECH8651R-TL-H
Specifiche tecniche onsemi - ECH8651R-TL-H, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - ECH8651R-TL-H

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id -  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-ECH  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 5A, 4.5V  
Potenza - Max 1.5W  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 24V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base ECH8651  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi ECH8651R-TL-H

Proprietà del prodotto ECH8651R-TL-H ECH8652-TL-H ECH8649-TL-H ECH8651R-TL-HX
Modello di prodotti ECH8651R-TL-H ECH8652-TL-H ECH8649-TL-H ECH8651R-TL-HX
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Numero di prodotto di base ECH8651 ECH8652 ECH8649 ECH8651
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Potenza - Max 1.5W 1.5W 1.5W 1.5W
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 5A, 4.5V 28mOhm @ 3A, 4.5V 17mOhm @ 4A, 4.5V 14mOhm @ 5A, 4.5V
Serie - - - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tensione drain-source (Vdss) 24V 12V 20V 24V
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V 11nC @ 4.5V 10.8nC @ 4.5V 24nC @ 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A 6A 7.5A 10A
Contenitore dispositivo fornitore 8-ECH 8-ECH 8-ECH 8-ECH
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 1000pF @ 6V 1060pF @ 10V -

ECH8651R-TL-H Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ECH8651R-TL-H PDF e la documentazione onsemi per ECH8651R-TL-H - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices 28/Apr/2017.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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