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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNTQD6968NR2
NTQD6968NR2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NTQD6968NR2 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTQD6968NR2
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTQD6968NR2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Pacchetto
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
NTQD6968N.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 5210

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTQD6968NR2
Specifiche tecniche onsemi - NTQD6968NR2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTQD6968NR2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V  
Potenza - Max 1.39W  
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 16V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base NTQD69  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTQD6968NR2

Proprietà del prodotto NTQD6968NR2 IRFHM8363TRPBF NTQD6866R2 NX7002BKS
Modello di prodotti NTQD6968NR2 IRFHM8363TRPBF NTQD6866R2 NX7002BKS
fabbricante onsemi Infineon Technologies onsemi Nexperia USA Inc.
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A 11A 4.7A 60V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V 15nC @ 10V 22nC @ 4.5V 2.1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 8-TSSOP -
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 2.35V @ 25µA 1.2V @ 250µA 2.8 Ohm @ 200mA, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Numero di prodotto di base NTQD69 IRFHM8363 NTQD68 -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Serie - HEXFET® - -
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V 14.9mOhm @ 10A, 10V 32mOhm @ 6.9A, 4.5V 240mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 16V 1165pF @ 10V 1400pF @ 16V 1nC @ 10V
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-PowerVDFN 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 20V Logic Level Gate
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate 2 N-Channel (Dual)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 1.39W 2.7W 940mW 320mW

NTQD6968NR2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTQD6968NR2 PDF e la documentazione onsemi per NTQD6968NR2 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 06/Oct/2006.pdf
Schede tecniche
NTQD6968N.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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