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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBFL4037
Sanyo
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BFL4037 - Sanyo

fabbricante Modello di prodotti
BFL4037
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-BFL4037
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 11A TO220FI
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
BFL4037.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 14579

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BFL4037
Specifiche tecniche Sanyo - BFL4037, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Sanyo - BFL4037

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FI(LS)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 430mOhm @ 8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 40W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Sanyo BFL4037

Proprietà del prodotto BFL4037 IRFS7530TRL7PP BFL4036 STP36NF06L
Modello di prodotti BFL4037 IRFS7530TRL7PP BFL4036 STP36NF06L
fabbricante Sanyo Infineon Technologies Sanyo STMicroelectronics
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA 3.7V @ 250µA 5V @ 1mA 2.5V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48.6 nC @ 10 V 354 nC @ 10 V 38.4 nC @ 10 V 17 nC @ 5 V
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 40W (Tc) 375W (Tc) 2W (Ta), 37W (Tc) 70W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 60 V 500 V 60 V
Serie - HEXFET®, StrongIRFET™ - STripFET™ II
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±18V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) 240A (Tc) 9.6A (Tc) 30A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-220-3 Full Pack TO-220-3
Rds On (max) a Id, Vgs 430mOhm @ 8A, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V 520mOhm @ 7A, 10V 40mOhm @ 15A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 30 V 12960 pF @ 25 V 1000 pF @ 30 V 660 pF @ 25 V
temperatura di esercizio 150°C -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FI(LS) PG-TO263-7 TO-220F-3FS TO-220
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tube

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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