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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFS7530TRL7PP
IRFS7530TRL7PP Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFS7530TRL7PP - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFS7530TRL7PP
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS7530TRL7PP
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Scheda dati
IRFS7530TRL7PP.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 13154

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS7530TRL7PP
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFS7530TRL7PP, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFS7530TRL7PP

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-7  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12960 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 354 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 240A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFS7530  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFS7530TRL7PP

Proprietà del prodotto IRFS7530TRL7PP IRFS7530PBF IRFS7537PBF IRFS7437TRLPBF
Modello di prodotti IRFS7530TRL7PP IRFS7530PBF IRFS7537PBF IRFS7437TRLPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc) 375W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12960 pF @ 25 V 13703 pF @ 25 V 7020 pF @ 25 V 7330 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base IRFS7530 - - IRFS7437
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 250µA 3.7V @ 250µA 3.7V @ 150µA 3.9V @ 150µA
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 40 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 354 nC @ 10 V 411 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-7 D2PAK D2PAK TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 240A (Tc) 195A (Tc) 173A (Tc) 195A (Tc)

IRFS7530TRL7PP Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFS7530TRL7PP PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFS7530TRL7PP - Infineon Technologies.

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