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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBFL4036
Sanyo
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BFL4036 - Sanyo

fabbricante Modello di prodotti
BFL4036
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-BFL4036
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO220F-3FS
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
BFL4036.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5490

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BFL4036
Specifiche tecniche Sanyo - BFL4036, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Sanyo - BFL4036

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3FS  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 520mOhm @ 7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 37W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.6A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Sanyo BFL4036

Proprietà del prodotto BFL4036 BFL4037-1E FQD13N06TM DMN2020UFCL-7
Modello di prodotti BFL4036 BFL4037-1E FQD13N06TM DMN2020UFCL-7
fabbricante Sanyo onsemi onsemi Diodes Incorporated
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38.4 nC @ 10 V 48.6 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V 21.5 nC @ 4.5 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 6-PowerUFDFN
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA - 4V @ 250µA 900mV @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 30 V 1200 pF @ 30 V 310 pF @ 25 V 1788 pF @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.6A (Tc) 11A (Tc) 10A (Tc) 9A (Ta)
Serie - - QFET® -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 37W (Tc) 2W (Ta), 40W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 610mW (Ta)
temperatura di esercizio 150°C -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 520mOhm @ 7A, 10V 430mOhm @ 8A, 10V 140mOhm @ 5A, 10V 14mOhm @ 9A, 4.5V
Pacchetto Bulk Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3FS TO-220F-3FS TO-252AA X1-DFN1616-6 (Type E)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 60 V 20 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±10V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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