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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBFL4026-1E
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BFL4026-1E - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
BFL4026-1E
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-BFL4026-1E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 900V 3.5A TO220F-3FS
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
BFL4026.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 13232

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BFL4026-1E
Specifiche tecniche onsemi - BFL4026-1E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - BFL4026-1E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3FS  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.6Ohm @ 2.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 35W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 900 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base BFL4026  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi BFL4026-1E

Proprietà del prodotto BFL4026-1E PMV160UP,215 BFL4037 SIDR668DP-T1-GE3
Modello di prodotti BFL4026-1E PMV160UP,215 BFL4037 SIDR668DP-T1-GE3
fabbricante onsemi Nexperia USA Inc. Sanyo Vishay Siliconix
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id - 950mV @ 250µA 5V @ 1mA 3.4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 3.6Ohm @ 2.5A, 10V 210mOhm @ 1.2A, 4.5V 430mOhm @ 8A, 10V 4.8mOhm @ 20A, 10V
Serie - - - TrenchFET® Gen IV
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 Full Pack PowerPAK® SO-8
Vgs (Max) ±30V ±8V ±30V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3FS TO-236AB TO-220FI(LS) PowerPAK® SO-8DC
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base BFL4026 PMV160 - SIDR668
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 1.8V, 4.5V - 7.5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 35W (Tc) 335mW (Ta), 2.17W (Tc) 2W (Ta), 40W (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 30 V 365 pF @ 10 V 1200 pF @ 30 V 5400 pF @ 50 V
Tensione drain-source (Vdss) 900 V 20 V 500 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 4 nC @ 4.5 V 48.6 nC @ 10 V 108 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Tc) 1.2A (Ta) 11A (Tc) 23.2A (Ta), 95A (Tc)

BFL4026-1E Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BFL4026-1E PDF e la documentazione onsemi per BFL4026-1E - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly/Mold Chg 20/Mar/2019.pdf
Schede tecniche
BFL4026.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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