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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBFL4004-1E
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BFL4004-1E - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
BFL4004-1E
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-BFL4004-1E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220F-3FS
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
BFL4004.pdf
In magazzino: 3900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BFL4004-1E
Specifiche tecniche onsemi - BFL4004-1E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - BFL4004-1E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3FS  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5Ohm @ 3.25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 36W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Tc)  
Numero di prodotto di base BFL40  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi BFL4004-1E

Proprietà del prodotto BFL4004-1E IRFSL7434PBF BFL4037-1E BFL4026-1E
Modello di prodotti BFL4004-1E IRFSL7434PBF BFL4037-1E BFL4026-1E
fabbricante onsemi International Rectifier onsemi onsemi
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 36W (Tc) 294W (Tc) 2W (Ta), 40W (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc)
Serie - HEXFET®, StrongIRFET™ - -
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Tc) 195A (Tc) 11A (Tc) 3.5A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3FS TO-262 TO-220F-3FS TO-220F-3FS
Numero di prodotto di base BFL40 - BFL40 BFL4026
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 30 V 10820 pF @ 25 V 1200 pF @ 30 V 650 pF @ 30 V
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V 48.6 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5Ohm @ 3.25A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 430mOhm @ 8A, 10V 3.6Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (max) a Id - 3.9V @ 250µA - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 40 V 500 V 900 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

BFL4004-1E Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BFL4004-1E PDF e la documentazione onsemi per BFL4004-1E - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices 28/Apr/2017.pdf
Schede tecniche
BFL4004.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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