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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL2203STRR
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL2203STRR - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRL2203STRR
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL2203STRR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL2203S.pdf
In magazzino: 5240

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL2203STRR
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRL2203STRR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRL2203STRR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 60A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 130W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL2203  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRL2203STRR

Proprietà del prodotto IRL2203STRR IRL2203NSTRLPBF IRL2203NSPBF IRL2505SPBF
Modello di prodotti IRL2203STRR IRL2203NSTRLPBF IRL2203NSPBF IRL2505SPBF
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D2PAK D2PAK D2PAK
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 4.5 V 60 nC @ 4.5 V 60 nC @ 4.5 V 130 nC @ 5 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 116A (Tc) 116A (Tc) 104A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±16V ±16V ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IRL2203 - - -
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 130W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 55 V
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 60A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 8mOhm @ 54A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRL2203STRR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL2203STRR PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRL2203STRR - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRL2203S.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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