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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL2203NSTRLPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL2203NSTRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL2203NSTRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL2203NSTRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL2203NSTRLPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4580

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL2203NSTRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL2203NSTRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL2203NSTRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 60A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 180W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 116A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL2203NSTRLPBF

Proprietà del prodotto IRL2203NSTRLPBF IRL2203NLPBF IRL2505PBF IRL2203STRR
Modello di prodotti IRL2203NSTRLPBF IRL2203NLPBF IRL2505PBF IRL2203STRR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 60A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 8mOhm @ 54A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 116A (Tc) 116A (Tc) 104A (Tc) 100A (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 55 V 30 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V 60 nC @ 4.5 V 130 nC @ 5 V 110 nC @ 4.5 V
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-262 TO-220AB D²PAK (TO-263)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRL2203NSTRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL2203NSTRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL2203NSTRLPBF - Infineon Technologies.

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