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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL2505L
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL2505L - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL2505L
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL2505L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 104A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IRL2505L.pdf
In magazzino: 5340

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL2505L
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL2505L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL2505L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 54A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 104A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL2505L

Proprietà del prodotto IRL2505L IRL2703SPBF IRL2505S IRL2203NSPBF
Modello di prodotti IRL2505L IRL2703SPBF IRL2505S IRL2203NSPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 45W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 54A, 10V 40mOhm @ 14A, 10V 8mOhm @ 54A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V 130 nC @ 5 V 60 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 D2PAK D2PAK D2PAK
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 104A (Tc) 24A (Tc) 104A (Tc) 116A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 30 V 55 V 30 V

IRL2505L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL2505L PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL2505L - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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