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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL2505STRLPBF
IRL2505STRLPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL2505STRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL2505STRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL2505STRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL2505STRLPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 10843

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL2505STRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL2505STRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL2505STRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 54A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 104A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL2505  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL2505STRLPBF

Proprietà del prodotto IRL2505STRLPBF IRL2505PBF IRL2505L IRL2703STRL
Modello di prodotti IRL2505STRLPBF IRL2505PBF IRL2505L IRL2703STRL
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-220AB TO-262 D2PAK
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 104A (Tc) 104A (Tc) 104A (Tc) 24A (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 54A, 10V 8mOhm @ 54A, 10V 8mOhm @ 54A, 10V 40mOhm @ 14A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 45W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base IRL2505 IRL2505 - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 5 V 130 nC @ 5 V 130 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V

IRL2505STRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL2505STRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL2505STRLPBF - Infineon Technologies.

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